About the Role
Background ot the Recruitment
当社は、2035 年までに収益を 200 億ドル以上に成長させることを目指しています。この目標を達成するために、当部門では、Intelligent Power Device(IPD)の製品ポートフォリオをさらに拡大していきます。
この目標を達成するため、開発チームに参加頂き、開発チームの成長に変化をもたらすことができるエンジニアを探しています。
Job Description
・性能や動作領域、電源仕様を満たすセンスMOSFETや温度センサを含んだ、パワーMOSFETブロックの設計・検証・シミュレーション業務を行う。
・アナログブロックのリードと協力し、IPD 製品のシステムおよび設計戦略を行う。
・パワー FET の技術的リーダーシップを発揮し、仕様決定から量産段階まで推進します。
Qualifications
(Must to have)
・半導体エンジニアとして5～8年の経験者
・製品開発の各要素（設計手法、設計プロセス、CAD ツール、テスト設計、物理設計、システムアプリケーション）に精通していること
・ドライバーICの熱設計の理解があること
・経験の浅いチームメンバーをサポートし、指導する能力があること
・英語力：日常会話ができる程度（目安TOEIC 600）
・日本語力：日常会話ができる程度
(Nice to have)
・車載向けのアプリケーションまたは製品の開発経験
・スマートパワーICまたはパワーMOSFET製品ラインの経験
Additional Information
ルネサスは、「To Make Our Lives Easier 」（人々の暮らしを楽“ラク...
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